四探針電阻率采購時需說明測試介質(zhì)的性質(zhì)，根據(jù)不同的介質(zhì)選配不同個測試探頭，以便達(dá)到設(shè)置的實驗?zāi)康?！具體信息可打詢問！ 四探針電阻率測定儀 貨號：ZH221
嚴(yán)格按照硅片電阻率測量的標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）及標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計制造，并針對目前常用的四探針電阻率測試儀存在的問題加以改進(jìn)
是用來測量半導(dǎo)體材料（主要是硅單晶、鍺單晶、硅片）電阻率，以及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠方塊電阻的測量儀器。它主要由電氣測量部份（簡稱：主機(jī)）、測試架及四探針頭組成。
本儀器的特點是主機(jī)配置雙數(shù)字表，在測量電阻率的同時，另一塊數(shù)字表（以之幾的精度）適時監(jiān)測程的電流變化，免除了測量電流/測量電阻率的轉(zhuǎn)換，及時掌控測量電流。主機(jī)還提供精度為0.05%的恒流源，使測量電流高度穩(wěn)定。本機(jī)配有恒流源開關(guān)，在測量某些箔層材料時，可免除探針尖與被測材料之間接觸火花的發(fā)生，好地保護(hù)箔膜。儀器配置了本公司的產(chǎn)品：“小游移四探針頭”，探針游移率在0.1～0.2%。了儀器測量電阻率的重復(fù)性和準(zhǔn)確度。本機(jī)如加配HQ-710E數(shù)據(jù)處理器，測量硅片時可自動進(jìn)行厚度、直徑、探針間距的修正，并計算、打印出硅片電阻率、徑向電阻率的zui大百分變化、平均百分變化、徑向電阻率不均習(xí)庋。給測量帶來很大方便。
主機(jī)能數(shù)
測量范圍：
可測電阻率：0.0001～19.9999cm
可測方塊電阻：0.0001～1000Ωcm
恒流源：
輸出電流：DC 0.001～100mA 五檔連續(xù)可調(diào)
量程：0.001～0.01mA
0.01～0.10mA
0.10～1.0mA
1.0～10mA
10～100mA
恒流精度：檔均低于±0.05%
直流數(shù)字電壓表：
測量范圍：0～19.999mV
靈敏度：1μV
基本誤差：±（0.004%讀數(shù)+0.01%滿度）
輸出電源：≥1000ΩM
供電電源：
AC 220V±10% 50/60 Hz 功率：12W
使用環(huán)境：
溫度：23±2℃ 相對濕度：≤65%
較強(qiáng)的電場干擾，強(qiáng)光直接照射
重量、體積：
主機(jī)重量：7.5kg
體積：365×380×160（單位：mm 長度×寬度×高度） 四探針頭
產(chǎn)品簡介
使用幾何尺寸的紅寶石軸套，確保探針間距的恒定、準(zhǔn)確。
控制寶石內(nèi)孔與探針之間的縫隙不大于6μｍ，探針的小游移率。
采用的S型懸臂式彈簧，使每根探針都具有立、準(zhǔn)確的壓力。
量具精度的硬質(zhì)合金探針，在寶石導(dǎo)孔內(nèi)穩(wěn)定運動，持久耐磨。
用途
測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率，測定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻。
測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。
探針間距
直線四探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
方形四探針…………… 1.00mm
直線三探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
兩探針 …………… 1.00mm、1.59mm、4.76mm、10.00mm
指標(biāo)
游移率
B…………… ＜0.5%
A……………＜0.3%
AA………… ＜0.2%
AAA…………＜0.1%
間距偏差
B…………… ＜3%
A…………… ＜2%
AA………… ＜2%
AAA………… ＜1%
zui大針與導(dǎo)孔間隙：0.006mm
探針材料：硬質(zhì)合金（主成份：進(jìn)口碳化鎢）或高速鋼
探針壓力 標(biāo)準(zhǔn)壓力：6—10N（4根針總壓力）
小壓力：1.2—5N（4根針總壓力）
1牛頓（N）=101.97克
針尖壓痕直徑：25—100μｍ、100—250μｍ（簿層）
500V緣電阻：＞1000MΩ 四探針手動測試架
產(chǎn)品簡介
支架尺寸：
豎測高度：500mm
臺面：200×300mm/240×380mm
特點：
主于測棒、塊。
注：其它尺寸可按要求訂做 四探針手動測試架
產(chǎn)品簡介
支架尺寸：
豎測高度：120mm
臺面：200×300mm
特點：
主于測片。 |
